金和铋与MoS2单层电接触的研究
介观与纳米尺度物理
2025-01-14 v1 材料科学
摘要
半导体过渡金属硫族化物（TMDCs）为设计新型电子器件提供了新的可能性。为了在未来电子器件中利用TMDCs优异的光电特性，需要有效的接触方案。然而，这对TMDCs来说具有挑战性，主要是由于金属和半导体之间通常形成高肖特基势垒。在这里，我们研究了接触MoS2的不同方法，利用金属金和半金属铋作为接触材料。将Bi接触器件的I-V特性与传统金接触的性能进行了比较。还描述了用于增强金接触参数的AFM熨平方法。此外，我们展示了两种样品光学响应的初步结果。
引用
@article{arxiv.2501.07444,
title = {Study of gold and bismuth electrical contacts to a MoS$_{2}$ monolayer},
author = {Agata Zielińska and Joanna Prażmowska-Czajka and Mateusz Dyksik and Jonathan Eroms and Dieter Weiss and Regina Paszkiewicz and Mariusz Ciorga},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.07444},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 5 figures. Presented at the 52nd International School and Conference on Semiconductors, "Jaszowiec 2024", published in Solid State Communications