半金属与二维过渡金属硫族化物半导体接触的多尺度建模
介观与纳米尺度物理
2022-07-14 v1
摘要
我们开发了一种多尺度模拟方法，用于模拟半金属与单层二维（2D）过渡金属硫族化物（TMDC）半导体之间的接触输运性质。结果从量子输运角度阐明了半金属与 TMDC 半导体接触间低接触电阻的机理。模拟结果与近期实验吻合良好。此外，结果表明，通过调控介电环境并对 TMDC 材料掺杂，可将铋-MoS2 接触的接触电阻进一步降低至 <100 .m。量子输运模拟表明，可实现约 1 nm 的超短接触转移长度，从而允许接触尺寸的大幅微缩。
引用
@article{arxiv.2207.05781,
title = {Multiscale Modeling of Semimetal Contact to Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide Semiconductor},
author = {Tong Wu and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.05781},
year = {2022}
}