新兴二硫化钼及其他二维场效应晶体管的接触研究策略
材料科学
2014-10-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
层状二维 (2D) 半导体过渡金属硫族化合物 (TMD) 近期已被广泛分离、合成和表征。由于其高迁移率和展现出的带隙，许多二维材料被确定为未来薄膜技术沟道材料的潜在候选者。虽然已广泛演示了许多 TMD 场效应晶体管 (FET)，并且在清晰理解器件物理方面取得了显著进展，但金属/半导体界面处的大接触电阻仍然是一个挑战。从二维器件研究的角度来看，如何最小化接触处的肖特基势垒效应从而降低金属在二维材料上的接触电阻，对于该领域的进一步发展至关重要。在此，我们从二维材料上金属 - 半导体界面的基本理解出发，综述了关于二硫化钼及其他 TMD FET 的接触研究。针对未来具有激进缩放尺寸的高性能二维 FET，制定了一套清晰的二维半导体材料接触研究策略。
引用
@article{arxiv.1410.8201,
title = {Contact Research Strategy for Emerging Molybdenum Disulfide and Other Two-Dimensional Field-effect Transistors},
author = {Yuchen Du and Lingming Yang and Han Liu and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.8201},
year = {2014}
}
备注
Published in APL Materials