少层 HfS2 场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-03-03 v1 材料科学
摘要
由于对短沟道效应 (SCE) 的优异免疫能力，2D 材料有望成为极短沟道长度场效应晶体管 (FET) 的有利沟道材料。最著名的 2D 材料石墨烯在没有附加技术时无能隙，这一特性是降低漏电流的主要障碍。因此，具有有限带隙的 2D 材料，如过渡金属硫族化合物 (TMDs，例如 MoS2、WSe2) 或黑磷烯，是低功耗 FET 所需的。二硫化铪 (HfS2) 是一种新型 TMD，尚未作为沟道材料被研究。我们关注其在迁移率和带隙特性上良好平衡的潜力。与 Mo 或 W 硫族化合物相比，Hf 硫族化合物更高的电子亲和能有助于形成低电阻接触以及与其他 2D 材料的错列异质结。这里我们展示了首个少层 HfS2 场效应晶体管，具有稳健的电流饱和和高电流开关比超过 10^4。
引用
@article{arxiv.1505.07970,
title = {Few Layer HfS2 FET},
author = {Toru Kanazawa and Tomohiro Amemiya and Atsushi Ishikawa and Vikrant Upadhyaya and Kenji Tsuruta and Takuo Tanaka and Yasuyuki Miyamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.07970},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 10 figures