理解二维异质结构场效应晶体管中的界面特性
材料科学
2020-12-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
自石墨烯首次从块体石墨中分离到衬底上至今已十五年。在此期间，具有本征带隙的二维层状材料得以实现。尽管在其基础物理与应用方面已有诸多令人振奋的报道，但关于二维电子器件在未来集成电路应用的讨论仍基于二维材料理想具备的固有高性能预期。本综述文章聚焦于栅堆叠特性，这是场效应晶体管中最重要的构建模块之一。从比较二维/SiO2 界面特性与传统 SiO2/Si 界面特性出发，讨论了双层石墨烯与 MoS2 场效应晶体管栅堆叠特性研究的近期进展。特别地，强调了以 h-BN 为二维绝缘体的二维异质结构的优缺点。本综述可为控制二维异质界面特性提供概念性与实验性的思路。
引用
@article{arxiv.2012.01129,
title = {Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs},
author = {Kosuke Nagashio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.01129},
year = {2020}
}