用于高界面热导的 MoS2-石墨烯面内接触
材料科学
2017-03-29 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
近期研究表明，二维（2D）MoS2 的面内和面间热导率较低，这给基于 MoS2 的电子器件的热管理带来了重大挑战。为了应对这一挑战，我们通过充分利用具有超高热导率的二维材料石墨烯，设计了 MoS2 与石墨烯之间的界面。我们首先进行了第一性原理原子级模拟，以了解界面的成键性质和结构稳定性。结果表明，所设计的界面通过 Mo 和 C 原子之间的强共价键连接，在能量上是稳定的。随后，我们进行了分子动力学模拟以研究界面热导。令人惊讶地发现，界面热导很高，可与石墨烯-金属共价键界面的热导相媲美。重要的是，每个界面 Mo-C 键充当独立的热通道，使得能够通过控制界面处的 Mo 空位浓度来调节界面热导。本工作为基于 MoS2 的电子器件的热管理提供了一条可行途径。
引用
@article{arxiv.1703.07916,
title = {MoS2-graphene in-plane contact for high interfacial thermal conduction},
author = {Xiangjun Liu and Junfeng Gao and Gang Zhang and Yong-Wei Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.07916},
year = {2017}
}
备注
19 pages. 7 figures