具有界面氧化物的 MoS2 钛接触：界面化学与热输运
材料科学
2019-10-10 v1
摘要
此前已有报道在金属/半导体界面沉积薄氧化物层以降低二维电子器件的接触电阻。利用带有原位 Ti 沉积的 X 射线光电子能谱，我们制备了 Au/Ti/TiOx/MoS2 样品，以及用于对比的 Au/Ti/MoS2 和 Au/TiOx/MoS2 样品。元素钛与 MoS2 发生强烈反应，而在两类含有 TiOx/MoS2 界面的样品中未观察到界面反应。利用时域热反射法测量热边界导纳，我们发现界面处采用 Ti 与薄 TiOx 层（小于等于 1.5 nm）接触的样品与仅用纯 Ti 接触的样品表现出相同的行为。Au/TiOx/MoS2 样品表现出约 20% 更低的热边界导纳，尽管其 MoS2 界面化学与 Ti/MoS2 界面处含薄氧化物的样品相同。我们确定了该现象的机理，将其归因于与顶部 Au 接触的不同界面。我们的工作表明，使用薄界面氧化物层降低电接触电阻并不会损害二维电子器件中的热流。我们注意到，为获得最优热输运，必须考虑 Ti 和 TiOx 层的厚度。
引用
@article{arxiv.1906.10727,
title = {Titanium Contacts to MoS2 with Interfacial Oxide: Interface Chemistry and Thermal Transport},
author = {Keren M. Freedy and David H. Olson and Patrick E. Hopkins and Stephen J. McDonnell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.10727},
year = {2019}
}
备注
24 pages, 10 figures, 2 tables. Submitted to Phys Rev Materials