二维 MoS2 的界面受限双重各向异性氧化
材料科学
2020-12-25 v1
摘要
尽管低维空间受限的化学反应十分重要，但其难以捉摸且实验上难以处理。本工作中，我们通过将二氧化硅衬底上单层和多层 MoS2 的界面受限热氧化与其传统表面反应区分开来，报道了二维晶体在平面内和平面外双重各向异性的氧化反应。利用人工堆叠多层结构的光学二次谐波生成光谱，我们直接证明：结晶学取向的三角形氧化物（TOs）形成于最底层，而三角形蚀刻坑（TEs）生成于最顶层，且两种结构均以锯齿形边缘终止。界面处 Mo 氧化物层的形成表明 O2 能高效扩散通过范德华（vdW）间隙，而 MoO3 不能，否则其会升华。TOs 比 TEs 大数倍这一事实表明，当 MoS2 与二氧化硅衬底直接接触时氧化大大增强，这意味着一种催化效应。本研究表明，vdW 键合界面本质上对质量传输开放，并可作为研究低维空间化学的模型体系。
引用
@article{arxiv.2008.03933,
title = {Interface-Confined Doubly Anisotropic Oxidation of Two-Dimensional MoS2},
author = {Yejin Ryu and Wontaek Kim and Seonghyun Koo and Haneul Kang and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Sunmin Ryu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.03933},
year = {2020}
}