利用深能级瞬态谱表征靠近导带的 SiO$_2$/SiC 结构界面陷阱
材料科学
2015-10-28 v1
摘要
采用恒定电容深能级瞬态谱（DLTS）研究了氧化气氛和晶面对界面陷阱密度的影响，以阐明其起源。通过比较在 NO 气氛中氧化的低迁移率界面与在湿气氛中 C 面氧化的高迁移率界面的 DLTS 谱，发现无论晶面如何，在低迁移率界面中均普遍观察到在距导带边缘 0.16 eV 能量处存在高密度的陷阱（ 陷阱）。还发现了特定于晶面的陷阱产生与消除现象：(1) 陷阱仅能在 C 面上通过湿氧化消除；(2) 陷阱（0.37 eV）仅在 Si 面的 SiC/SiO 界面中观察到。Si 面上 陷阱的产生以及 C 面上 陷阱通过湿氧化的消除，可能是由特定于晶面的氧化反应引起的。
引用
@article{arxiv.1409.7170,
title = {Characterization of Interface Traps in SiO$_2$/SiC Structures Close to the Conduction Band by Deep-Level Transient Spectroscopy},
author = {Tetsuo Hatakeyama and Mitsuru Sometani and Yoshiyuki Yonezawa and Kenji Fukuda and Hajime Okumura and Tsunenobu Kimoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.7170},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures