石墨烯场效应器件中的界面陷阱：提取方法及其对特性的影响
介观与纳米尺度物理
2014-05-23 v1
摘要
我们研究了近界面氧化物陷阱对石墨烯栅控结构的C-V和I-V特性的影响。描述并讨论了从电容-电压测量中提取石墨烯场效应器件界面陷阱态密度的方法。研究发现，电子-电子或空穴-空穴相互作用以及电子-空穴坑洞效应可能混合在C-V特性中，给唯一确定石墨烯界面陷阱密度的提取带来障碍。描述了界面陷阱对石墨烯场效应结构的直流和交流电容及电导特性的影响。结果表明，不同样品中电阻率峰宽度的多样性可以通过不同的界面陷阱电容值来解释。
引用
@article{arxiv.1405.5766,
title = {Interface traps in graphene field effect devices: extraction methods and influence on characteristics},
author = {G. I. Zebrev and E. V. Melnik and A. A. Tselykovskiy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.5766},
year = {2014}
}
备注
45 pages, 11 figures,draft version of a book chapter submitted to Graphene Science Handbook - CRC press, July 2013