界面陷阱和电子-空穴坑对石墨烯场效应晶体管中量子电容和电导率的影响
介观与纳米尺度物理
2011-06-29 v2
摘要
我们从理论上研究了近界面绝缘体陷阱和电子-空穴坑对栅控石墨烯结构小信号电容和电导特性的影响。基于自洽静电学考虑并计入界面陷阱电容，得到了载流子密度和量子电容作为栅压函数的显式解析表达式。这使得可以从栅电容测量中提取界面陷阱电容和界面态密度。研究表明，自洽地计入界面陷阱电容能够调和从不同样品提取的通用量子电容与费米能级之间的差异。研究了电子-空穴坑和界面陷阱对转移I-V特性和电导率的影响。结果表明，不同样品中电阻率峰宽度的多样性可以通过不同的界面陷阱电容值来解释。
引用
@article{arxiv.1011.5127,
title = {Influence of Interface Traps and Electron-Hole Puddles on Quantum Capacitance and Conductivity in Graphene Field-Effect Transistors},
author = {G. I. Zebrev and E. V. Melnik and A. A. Tselykovskiy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.5127},
year = {2011}
}
备注
17 pages, 16 figures, extended and revised version