三层石墨烯中导电的连续分布 puddle 模型
介观与纳米尺度物理
2012-08-27 v2
摘要
基于不同外加栅极电压下电阻的温度依赖性，在三层石墨烯中观察到了绝缘体-金属转变。在低栅极电压下，由于电子-空穴对热激发导致载流子浓度增加，电阻随温度升高而降低。在高栅极电压下，电子-空穴对的激发被抑制，由于增强的电子-声子散射，电阻随温度升高而增加。我们发现，具有重叠的导带和价带且各自具有二次色散关系的简单模型并不令人满意。相反，我们得出结论，基底中产生局部较高电子或空穴密度 puddle 的杂质是造成低温下剩余电导率的原因。使用 puddle 的连续分布获得了最佳拟合。由该拟合可以确定电子和空穴有效质量的平均值。
引用
@article{arxiv.1109.0066,
title = {Continuous-distribution puddle model for conduction in trilayer graphene},
author = {Richard S. Thompson and Yi-Chen Chang and Jia G. Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.0066},
year = {2012}
}
备注
18 pages, 5 figures