石墨烯晶体管中接触电阻的衬底栅控
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v2
摘要
金属接触已被证实是实现可行石墨烯电子学的关键技术瓶颈。近期观察到，对于同时具有顶栅和底栅的结构，电子-空穴电导不对称性可由底栅调制。在本文中，我们通过假设金属接触与底层石墨烯之间存在有效的薄界面介电层来解释这一观察结果。考虑了这种修正静电学的量子输运计算所得的电学结果，与实验测量的接触电阻吻合良好。我们的研究表明，金属-石墨烯界面的工程化是降低高性能石墨烯晶体管接触电阻的关键步骤。
引用
@article{arxiv.1103.5773,
title = {Substrate Gating of Contact Resistance in Graphene Transistors},
author = {Dionisis Berdebes and Tony Low and Yang Sui and Joerg Appenzeller and Mark Lundstrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.5773},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures