石墨烯场效应晶体管中负接触电阻的观测

Ryo Nouchi; Tatsuya Saito; Katsumi Tanigaki

doi:10.1063/1.4705367

石墨烯场效应晶体管中负接触电阻的观测

材料科学 2012-04-30 v2 介观与纳米尺度物理

作者: Ryo Nouchi , Tatsuya Saito , Katsumi Tanigaki

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

石墨烯场效应晶体管中接触电阻（ $R_C$ ）的栅压（ $V_G$ ）依赖性通过传输线模型进行表征。Ag、Cu 和 Au 接触的 $R_C$ - $V_G$ 特性在电荷中性点附近呈现下凹，且在 Ag 接触中甚至变为负值。考虑金属接触边缘附近由金属接触引起的电势变化的模型计算很好地重现了该下凹结构。表观负 $R_C$ 源于金属接触向石墨烯沟道的载流子掺杂，当掺杂效应恰好在实际接触处大于实际接触电阻时即会出现。在石墨烯等 Dirac 锥体系的金属接触中可以出现负 $R_C$ 。

关键词

石墨烯场效应晶体管接触电阻传输线模型 Diric 锥载流子掺杂

引用

@article{arxiv.1204.4315,
  title  = {Observation of Negative Contact Resistances in Graphene Field-Effect Transistors},
  author = {Ryo Nouchi and Tatsuya Saito and Katsumi Tanigaki},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1204.4315},
  year   = {2012}
}

备注

7 figures, 1 table

石墨烯场效应晶体管中负接触电阻的观测

摘要

关键词

引用

备注

相关论文