钛与石墨烯的接触：工艺引起的电子与热输运变异性
材料科学
2018-03-14 v1
摘要
接触电阻（RC）是石墨烯器件性能的主要限制因素。RC对界面质量与接触成分敏感，而后者受石墨烯转移工艺与接触沉积条件影响。本工作中，通过X射线光电子能谱表征的Ti接触成分与由传输线法测量的Ti/石墨烯（Gr）接触电阻间观察到线性关联。我们发现接触成分可通过沉积速率与本底压力调节。反应器本底压力被发现会影响所得接触电阻。本文还报道了接触沉积条件对由时域热反射法测得的热输运的影响，且具更高氧化物成分的界面似乎导致更低的热边界导纳。讨论了该热边界导纳随氧化物成分变化的可能起源。
引用
@article{arxiv.1712.00331,
title = {Titanium Contacts to Graphene: Process-Induced Variability in Electronic and Thermal Transport},
author = {Keren M. Freedy and Ashutosh Giri and Brian M. Foley and Matthew R. Barone and Patrick E. Hopkins and Stephen McDonnell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.00331},
year = {2018}
}