多种金属电极与CVD石墨烯的接触电阻研究
材料科学
2022-11-23 v1
摘要
在本研究中，考察了多种金属与化学气相沉积（CVD）单层石墨烯的接触电阻。制备了具有不同宽度和接触间距的传输线法（TLM）结构，并在环境空气和真空条件下进行了电学表征。电学接触采用五种金属：金、镍、镍/金、钯和铂/金。在施加-40 V背栅偏压的背栅器件中提取到石墨烯与金之间接触电阻的最低值为92 Ω·μm。与在环境条件下进行的测量相比，真空下进行的测量显示出更大的接触电阻值。在氩气-95%/氢气-5%气氛中于450°C后退火1小时降低了接触电阻值，这归因于金属与石墨烯之间粘附性的增强。本工作所呈现的结果为高性能石墨烯基电子器件的潜在接触工程提供了概览。
引用
@article{arxiv.2211.12415,
title = {Contact Resistance Study of Various Metal Electrodes with CVD Graphene},
author = {Amit Gahoi and Stefan Wagner and Andreas Bablich and Satender Kataria and Vikram Passi and Max C. Lemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.12415},
year = {2022}
}