通过原子轨道工程实现金属-石墨烯结的超低下比接触电阻率

本文对石墨烯边缘接触进行了系统性研究。在接触区域有意图案化单层石墨烯，产生了明确定义的边缘接触，使来自金接触的电流注入增强了 67%。比接触电阻率从具有表面接触的器件的 1372 {\Omega}m 降低到图案化开孔接触时的 456 {\Omega}m。石墨烯的静电掺杂进一步将接触电阻率从 519 {\Omega}m 降低到 45 {\Omega}m，大幅降低了 91%。实验结果通过基于密度泛函理论计算和输运模拟的多尺度数值模型得到支持和理解。数据针对边缘周长和孔-石墨烯比进行了分析，从而为优化接触几何结构提供了见解。因此，当前工作指出了一种在石墨烯器件中制造低电阻接触的可靠且可重复的方法。我们提供了可用于指导石墨烯和二维材料接触工程的简单接触设计准则。