迈向纯净石墨烯-金属界面与微结构：外延石墨烯上的激光辅助直接图案化
介观与纳米尺度物理
2014-11-20 v1
摘要
石墨烯-金属接触电阻受内在和外在因素共同支配。内在方面，狄拉克点附近的态密度瓶颈以及石墨烯-金属界面处的载流子反射都会导致高接触电阻。此外，石墨烯在面外方向表现出绝缘行为。外在方面，标准光刻工艺中由光刻胶残留或不同吸附物种引入的表面污染，通过不受控的掺杂和增加的散射改变了石墨烯的本征性质，导致高且不一致的接触电阻。这里我们展示了一种飞秒激光辅助直接图案化石墨烯微结构的方法，使我们能够研究内在和外在效应对石墨烯-金属界面的影响。我们表明，干净的石墨烯-金属界面不足以使接触电阻接近由量子电阻设定的本征极限。我们还证明，与CVD石墨烯不同，对于在SiC(0001)上生长的石墨烯，边缘态传导（或端接触）不会通过金属沉积自发形成。我们得出结论，对于外延石墨烯，有意的端接触形成是获得接近量子接触电阻极限的接触电阻所必需的。
引用
@article{arxiv.1411.5114,
title = {Towards pristine graphene-metal interface and microstructures: Laser assisted direct patterning on Epitaxial graphene},
author = {A. Nath and M. Currie and V. D. Wheeler and M. J. Tadjer and A. D. Koehler and Z. R. Robinson and K. Sridhara and S. C. Hernandez and J. A. Wollmershauser and J. T Robinson and R. L. Myers-Ward and C. R. Eddy, and M. V. Rao and D. K. Gaskill},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.5114},
year = {2014}
}
备注
18 pages, 5 figures