实现与石墨烯的一致性接触：架构与生长诱导缺陷的影响
材料科学
2016-01-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
研究了接触架构、石墨烯缺陷密度以及金属-半导体功函数差对金属-石墨烯接触电阻率的影响。研究发现，与金属在石墨烯顶部的结构相比，金属在石墨烯底部的结构产生的电阻率降低了4倍，且最为一致。发现石墨烯膜中的生长缺陷进一步使电阻率降低了2倍。通过结合所使用的方法和金属，以钯作为接触金属，石墨烯的接触电阻率降低了10倍，达到1200 ± 250 Ohm-um。虽然一致性改善是由于在金属在底部的架构中金属能够接触到未受污染的石墨烯，但在相同金属下在缺陷石墨烯上观察到的较低接触电阻率归因于通道中量子输运模式数量的增加。
引用
@article{arxiv.1601.00429,
title = {Making Consistent Contacts to Graphene: Effect of Architecture and Growth Induced Defects},
author = {Krishna Bharadwaj B and Rudra Pratap and Srinivasan Raghavan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00429},
year = {2016}
}