石墨烯 FET 中态密度限制的接触电阻
材料科学
2013-04-26 v1
摘要
由于石墨烯具有超过 10,000 cm2 V-1 s-1 的高载流子迁移率，它作为未来高速晶体管材料的有力候选者之一而备受关注。到目前为止，我们一直将接触特性视为性能杀手，因为石墨烯极小的态密度可能会抑制从金属到石墨烯的电流注入。本文系统回顾了金属/石墨烯接触特性，并讨论了比接触电阻率的现状与未来要求。
引用
@article{arxiv.1104.1818,
title = {DOS-limited contact resistance in graphene FETs},
author = {Kosuke Nagashio and Akira Toriumi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.1818},
year = {2013}
}
备注
Jpn J Appl Phys 2011