基于单器件表征的石墨烯FET技术接触电阻提取
应用物理
2020-09-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文描述并应用于不同技术的石墨烯场效应晶体管的基于电器件特性的直接接触电阻提取方法。这些方法是对最初为传统晶体管开发的提取程序的合理改编，利用了某些偏置条件下石墨烯器件中类漂移-扩散输运。与其他可用的石墨烯晶体管接触电阻提取方法相比，此处使用的实用方法既不需要制造专用测试结构，也不需要器件内部现象表征。通过基于仿真的数据对这些方法进行了评估，并应用于实际制备的器件。提取的值与其他更复杂方法获得的值接近。偏置相关的接触与沟道电阻研究、偏置相关的高频性能研究以及接触工程研究通过提取的接触电阻值得到增强和评估。
引用
@article{arxiv.2005.13926,
title = {Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization},
author = {Anibal Pacheco-Sanchez and Pedro C. Feijoo and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13926},
year = {2020}
}