黑磷场效应晶体管技术的接触电阻评估与高频性能预测
介观与纳米尺度物理
2020-10-23 v3
摘要
在这项工作中，基于一种高效可靠的接触电阻提取方法，利用单个器件的实用特性，对先前报道的不同技术下的黑磷（BP）场效应晶体管（FETs）的接触质量进行了评估。本文所使用的Y函数法提取的数值与参考值之间取得了良好的一致，这些参考值来自考虑内部值的其他方法以及涉及制备测试结构的更昂贵的方法。该方法能够直接评估同一技术中的不同步骤，并涵盖接触特性的温度依赖性。沟道现象对提取的接触电阻值没有影响。基于提取的接触电阻，获得了所制备器件的高频性能预测。
引用
@article{arxiv.2009.09661,
title = {Contact resistance assessment and high-frequency performance projection of black phosphorus field-effect transistor technologies},
author = {Leslie M. Valdez-Sandoval and Eloy Ramirez-Garcia and David Jiménez and Anibal Pacheco-Sanchez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.09661},
year = {2020}
}