黑磷场效应晶体管的环境、热和电学敏感性
介观与纳米尺度物理
2023-05-03 v1
摘要
从层状块体剥离出的黑磷(P)原子层构成了一种具有可观直接带隙、高载流子迁移率的新二维(2D)半导体晶体，在二维电子学和光电子学中有前景。然而，黑磷晶体的完整性可能易受若干环境变量和过程影响，甚至在器件光学图像显示之前就导致器件性能退化。在此，我们通过对黑磷电子器件在多种受控条件(包括环境光、空气和湿度)下持续一个月的测量，系统研究环境影响，并识别每种条件下器件性能的演变。我们进一步考察热和电学处理对诱导黑磷器件形貌与性能变化及失效模式的影响。结果表明，其他二维材料中确立的纳米器件常规流程可能不能直接应用于黑磷器件，需要设计改进流程以获得稳定器件操作。
引用
@article{arxiv.1507.04407,
title = {Environmental, Thermal, and Electrical Susceptibility of Black Phosphorus Field Effect Transistors},
author = {Zenghui Wang and Arnob Islam and Rui Yang and Xu-Qian Zheng and Philip X. -L. Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.04407},
year = {2023}
}
备注
in Journal of Vacuum Science & Technology B (2015)