化学裁剪半导体二维过渡金属硫族化合物与黑磷
材料科学
2016-03-30 v1
摘要
二维（2D）半导体过渡金属硫族化合物（TMDCs）和黑磷（BP）在少层极限下具有有益的电学、光学和物理性质。作为原子级薄材料，2D TMDCs和BP对其环境和化学修饰高度敏感，导致其性质强烈依赖于衬底效应、本征缺陷和外源吸附物。此外，将2D半导体集成到电子和光电器件中在金属-半导体和介电-半导体界面引入了独特挑战。在此，我们回顾了理解和利用化学效应来影响2D TMDCs和BP性质的新兴努力。在某些情况下，表面化学导致显著降解，因此需要开发稳健的钝化方案。另一方面，适当设计的化学修饰可用于有益地裁剪电学性质，例如控制掺杂水平和电荷载流子浓度。总体而言，化学方法允许对2D TMDCs和BP的性质进行大幅调谐，从而为优化器件应用性能提供了重要的未来机会。
引用
@article{arxiv.1603.08544,
title = {Chemically Tailoring Semiconducting Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides and Black Phosphorus},
author = {Christopher R. Ryder and Joshua D. Wood and Spencer A. Wells and Mark C. Hersam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.08544},
year = {2016}
}
备注
Review article in press; 43 pages and 8 figures in ACS Nano (2016)