使用过渡金属硫族化合物的薄型 TFET 仿真：材料参数与栅介质对器件静电性能的影响
计算物理
2018-02-27 v1 应用物理
摘要
近年来，大量科研努力投入到过渡金属硫族化合物（TMDC）及其他二维（2D）材料如石墨烯、氮化硼的研究中。对这些材料物理方面的理论探究揭示了因电子与光电子性质的高度可调性而带来的一系列崭新且令人兴奋的应用。除理论探索外，这些材料已成功用于电子与光电器件并取得了有前景的结果。本工作中，我们研究了单层 TMDC 材料与单层 TMDC 合金对一种可实现陡峭开关特性的有前景电子器件——薄型隧穿场效应晶体管或 thin-TFET 性能的影响，采用自洽确定器件中导带、价带能级的方法，以及将散射作半经典处理并利用高斯近似纳入能量展宽效应的层间隧穿电流简化模型。我们还探讨了栅介质材料变化、层间材料变化对器件性能的影响。
引用
@article{arxiv.1802.09140,
title = {Simulation of Thin-TFETs Using Transition Metal Dichalcogenides: Effect of Material Parameters, Gate Dielectric on Electrostatic Device Performance},
author = {Kanak Datta and Quazi D. M. Khosru},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.09140},
year = {2018}
}