准一维层状过渡金属三硫族化物的电子学与光电子学
材料科学
2017-05-02 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
石墨烯和过渡金属二硫族化物（dichalcongenides）的剥离为大量可剥离、操控和任意堆叠或组合的层状材料开辟了一个真正的世界。随着持续探索扩展到包括具有独特属性的其他层状材料，越来越清楚的是，没有一种材料能满足后硅时代的所有要求。在此，我们回顾层状准一维过渡金属三硫族化物（TMTCs）作为下一代电子学和光电子学新材料的性能与应用。TMTCs 呈现出独特的链状结构，赋予材料准一维特性，如高导电各向异性比和线性二色性。这类材料涵盖的带隙范围（0.2 eV - 2 eV）使它们适用于多种应用，包括场效应晶体管、红外、可见和紫外光电探测器，以及与其各向异性特性相关的独特应用，这为下一代电子学发展开辟了另一个自由度。在本综述中，我们考察了这些非凡材料的历史发展，重点强调由原子级薄层三硫化钛（TiS3）的剥离与表征所产生的最新进展。
引用
@article{arxiv.1702.01865,
title = {Electronics and optoelectronics of quasi-one dimensional layered transition metal trichalcogenides},
author = {Joshua O. Island and Aday J. Molina-Mendoza and Mariam Barawi and Robert Biele and Eduardo Flores and Jose M. Clamagirand and Jose R. Ares and Carlos Sanchez and Herre S. J. van der Zant and Roberto D'Agosta and Isabel J. Ferrer and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01865},
year = {2017}
}
备注
Topical review of the properties and applications of the transition metal trichalcogenides (TMTCs)