二维 VIB 族过渡金属硫族化物的电子结构与理论建模
介观与纳米尺度物理
2015-12-08 v1
摘要
原子级薄的 VIB 族过渡金属硫族化物（TMDs）最近作为一类具有非凡性质的新型二维（2D）半导体出现，这些性质包括可见光频率范围内的直接带隙、显著的自旋轨道耦合、超强库仑相互作用以及与谷自由度相关的丰富物理。这些 2D TMDs 展现出巨大的器件应用潜力，并引起了探索新物理的广泛兴趣。2D TMDs 具有支撑其物理性质的复杂电子结构。在此我们综述这些新型 2D 材料中的块体电子结构以及在不同层次上发展的理论模型，并借此梳理对观测到或预测到的多种性质起源的理解。
引用
@article{arxiv.1512.01627,
title = {Electronic structures and theoretical modelling of two-dimensional group-VIB transition metal dichalcogenides},
author = {Gui-Bin Liu and Di Xiao and Yugui Yao and Xiaodong Xu and Wang Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01627},
year = {2015}
}
备注
25 pages, 6 figures. Review article, published online on Chem Soc Rev in Dec 2014. Posted with permission after the 12 months' embargo period