单层过渡金属硫族化物双量子点的有效理论
介观与纳米尺度物理
2018-02-28 v1
摘要
单层过渡金属硫族化物（TMDCs）是量子技术（如量子点）的有前途的候选材料，因为它们是具有直接带隙的真正二维半导体。在这项工作中，我们从理论上分析了在这些材料的导带中创建的、处于(1,1)电荷构型且含有两个电子的双量子点（DQD）系统的行为。受近期实验进展的启发，我们考虑了多种情形，包括两个量子点中不同的自旋轨道分裂，以及由于绝缘铁磁衬底导致谷简并解除的情况。最后，我们讨论了在哪些情况下可以将低能子空间约化到最低的Kramers对。我们发现，在这种情况下，低能模型在形式上等同于海森堡交换哈密顿量。
关键词
引用
@article{arxiv.1802.09789,
title = {Effective theory of monolayer TMDC double quantum dots},
author = {Alessandro David and Guido Burkard and Andor Kormányos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.09789},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 3 figures