d$^{1}$过渡金属二硫属化物单层中可切换半半导体的预测
强关联电子
2015-01-06 v1 材料科学
摘要
我们提出在三角棱柱型过渡金属二硫属化物（TMDC）d构型单层中可存在半导电态。在该态中电子与空穴均自旋极化并共享同一自旋通道。基于杂化密度泛函理论，我们特别预言VS单层是具有直接带隙的半半导体。此外，我们发现VS的导带电子自旋取向在中等应变下发生切换。我们的预言从而开启了VS在自旋电子学与光电子学中应用的引人瞩目的可能性。我们对三角棱柱型V族MX（M=V, Nb, Ta; X=S, Se, Te）单层分析揭示了广泛的电子态多样性，这可从电子的定域性定性理解。
引用
@article{arxiv.1501.00760,
title = {Prediction of switchable half semiconductor in d$^{1}$ transition metal dichalcogenide monolayers},
author = {Peng-Ru Huang and Yao He and Hridis K. Pal and Markus Kindermann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.00760},
year = {2015}
}