过渡金属硫族化物单层中的库仑工程异质结与动力学屏蔽
强关联电子
2020-10-02 v2 材料科学
摘要
通过其介电环境调控二维材料为控制电子与光学性质提供了新机遇，并允许以非侵入方式印制纳米结构。在此，我们以材料真实且定量的方式评估单层半导体过渡金属硫族化物（TMDCs）用于库仑工程的潜力。我们比较不同 TMDC 材料对其介电 surroundings 改变的响应，分析动态衬底屏蔽（即介电函数中的频率依赖）效应，并讨论库仑工程异质结的固有长度尺度。我们发现对于瞬时与动态衬底屏蔽均存在对称且类刚性偏移的准粒子带隙调制。由此我们导出短程自能，用于由置于空间结构化衬底上的均匀单层构成的库仑工程异质结的有效多尺度建模。对于这些异质结，我们展示在几个晶格常数长度尺度上的带隙调制是可能的，使得衬底结构化的外部限制比内部效应更为重要。我们发现所有半导体 TMDCs 均同样适用于这些外部非侵入式修饰。
引用
@article{arxiv.1912.10430,
title = {Coulomb-Engineered Heterojunctions and Dynamical Screening in Transition Metal Dichalcogenide Monolayers},
author = {Christina Steinke and Tim O. Wehling and Malte Rösner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.10430},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 7 figures