低维材料中屏蔽与超导电性的相互作用

针对二维超导材料，我们建立了一套库仑相互作用的定量描述，从而能够比较本征屏蔽效应与外部屏蔽效应（例如由衬底引起的屏蔽效应）。以嵌入可调介电环境中的掺杂单层 MoS2 为例，我们证明外部屏蔽的影响被限制在一个长度尺度内，其下界由准二维材料的有效厚度决定，上界由其本征屏蔽长度决定。由此得出的结论是，仅通过调节衬底性质无法在 MoS2 中诱导出非常规的库仑驱动超导电性。我们对推迟 Morel-Anderson 库仑势 ${\mu *}$ 的计算表明，经减小的层厚和衬底性质重整化后的库仑相互作用，可以改变单层 MoS2 中电子-声子驱动超导相的起始点，但在最佳掺杂下不会显著影响临界温度。