原子级薄MoS2晶体中的门控诱导超导性
超导电性
2016-05-04 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
当减薄至原子尺度时，许多层状范德瓦耳斯材料展现出其电子性质的有趣演化，其主要方面可由单粒子能带结构的变化来解释。也观察到由相互作用驱动的现象，但实验上识别其厚度依赖性的系统趋势具有挑战性。在此，我们探索了从块体类到独立单层的剥离MoS2多层中门控诱导超导性的演化。我们观察到所有厚度直至最终原子极限的清晰转变，提供了原子级薄剥离晶体中超导性的首次证明。此外，我们通过测量大量多层器件在厚度减小时临界温度(TC)和磁场(BC)来表征超导态。超导性质平滑变化直至双层，并且发现从双层到单层时TC和BC发生显著下降，我们讨论了其可能的微观机制。发现门控诱导超导性在独立单层中存在，而单层构成了更复杂范德瓦耳斯异质结构的基本构建块，这为原子尺度材料电子性质的工程化开辟了新可能。
引用
@article{arxiv.1512.03222,
title = {Gate-induced Superconductivity in atomically thin MoS2 crystals},
author = {Davide Costanzo and Sanghyun Jo and Helmuth Berger and Alberto F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.03222},
year = {2016}
}
备注
Originally submitted version, in compliance with editorial regulations. Final version to appear in Nature Nanotechnology