二维半导体中带隙的库仑调控
介观与纳米尺度物理
2017-02-08 v2
摘要
控制电子带隙大小的能力是固态技术不可或缺的一部分。原子级薄的二维晶体提供了一种基于这些材料中对环境敏感性和非同寻常的库仑相互作用强度之间的相互作用来调谐电子态能量的新方法。通过调控周围介电环境，我们能够将WS2和WSe2单层的电子带隙调谐数百 meV。我们利用这一特性展示了一种具有空间依赖带隙的面内介电异质结构，阐明了我们方法在创建纳米级分辨率横向结方面的可行性。这种基于库仑相互作用非侵入式修饰的带隙工程的成功演示，应能够设计一类新的原子级薄器件，从而推进固态技术在尺寸和功能上的极限。
引用
@article{arxiv.1702.01204,
title = {Coulomb engineering of the bandgap in 2D semiconductors},
author = {Archana Raja and Andrey Chaves and Jaeeun Yu and Ghidewon Arefe and Heather M. Hill and Albert F. Rigosi and Timothy C. Berkelbach and Philipp Nagler and Christian Schüller and Tobias Korn and Colin Nuckolls and James Hone and Louis E. Brus and Tony F. Heinz and David R. Reichman and Alexey Chernikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01204},
year = {2017}
}