通过环境屏蔽在二维半导体中实现刚性带移动
介观与纳米尺度物理
2019-11-20 v1 材料科学
应用物理
摘要
我们利用关联角分辨光电子能谱与光学光谱以及第一性原理计算，研究了环境介电屏蔽对原子级薄、准二维（2D）半导体 WS 的电子色散与带隙的影响。我们发现环境屏蔽增加的主要效应是带隙减小，而能带结构的电子色散几乎不变。这些本质上是刚性的能带移动源于二维极限下介电环境诱导的库仑势变化的特殊空间结构。我们的结果表明介电工程可作为裁剪二维半导体能带结构的非侵入性方法，并为理解嵌入多层异质结构中的二维材料的电子性质提供指导。
引用
@article{arxiv.1907.05535,
title = {Rigid band shifts in two-dimensional semiconductors through environmental screening},
author = {Lutz Waldecker and Archana Raja and Malte Rösner and Christina Steinke and Aaron Bostwick and Roland J. Koch and Chris Jozwiak and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Eli Rotenberg and Tim O. Wehling and Tony F. Heinz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.05535},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 3 figures