原子级薄半导体中电子与光学跃迁的环境敏感理论
材料科学
2018-01-24 v1 化学物理
摘要
我们提出了一个原子级薄半导体中带隙重整化的静电理论，该理论捕捉到对周围介电环境的强烈敏感性。具体而言，我们的理论旨在修正已知的带隙，例如三维块体晶体的带隙。将我们的准粒子带隙与激子的有效质量理论相结合，产生了环境敏感的光学带隙，正如在吸收或光致发光中所观测到的那样。对于孤立的MoS单层，该理论与基于GW近似和Bethe-Salpeter方程的从头算结果吻合良好。我们发现电子带隙的变化几乎完全被激子结合能的变化所抵消，使得第一光学跃迁的能量几乎与静电环境无关，从而解释了实验观测。
引用
@article{arxiv.1709.01094,
title = {Environmentally-Sensitive Theory of Electronic and Optical Transitions in Atomically-Thin Semiconductors},
author = {Yeongsu Cho and Timothy C. Berkelbach},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.01094},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 3 figures