通过 MoS2 结的带隙工程实现环境不敏感且栅极可调的光电流
介观与纳米尺度物理
2017-03-06 v1
摘要
二维（2D）材料由原子级厚度的晶体组成，具有极大的比表面积，其物理性质极易受到化学环境变化的影响。使用其他层状材料（如六方氮化硼）进行封装是一种常见做法；然而，这种方法通常需要复杂的制造工艺。或者，探索在无封装层的情况下控制输运性质的方法是引人入胜的。由于吸附物的普遍存在，这极具挑战性，因为它们会导致带电杂质散射位点、电荷陷阱和复合中心。在此，我们表明，源自 MoS2 结内建电场的短路光电流在从 Torr 真空到环境条件的范围内，对气体环境惊人地不敏感。短路光电流的环境不敏感性归因于与载流子密度梯度相关的扩散电流特性。相反，带偏压的光电流表现出典型的持续光电导，并在很大程度上依赖于气体环境。对环境不敏感的短路光电流的观察，为设计基于二维材料的光电器件的器件结构提供了一种替代方法。
引用
@article{arxiv.1703.01110,
title = {Environment-insensitive and gate-controllable photocurrent enabled by bandgap engineering of MoS2 junctions},
author = {Fu-Yu Shih and Yueh-Chun Wu and Yi-Siang Shih and Ming-Chiuan Shih and Po-Hsun Ho and Chun-Wei Chen and Yang-Fang Chen and Ya-Ping Chiu and Wei-Hua Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.01110},
year = {2017}
}