二维过渡金属硫族化物纳米片边缘态光学吸收理论
介观与纳米尺度物理
2016-10-11 v3 材料科学
摘要
我们发展一个解析模型来描述二维半导体过渡金属硫族化物(s-TMD)纳米片中的带隙下光学吸收。材料系统表示随机取向在聚合物基质中的少数层二硫化钼晶体阵列。我们提出光学吸收涉及电子边缘态与体带之间的直接跃迁，强烈依赖于载流子布居，并在足够通量下可饱和。对于高于带隙一半的激发能，多余能量被边缘态电子吸收，提升其有效温度。我们的线性和非线性吸收解析表达式可证明是基于s-TMD的实际光子器件设计的有用工具。
引用
@article{arxiv.1602.06298,
title = {Theory of edge-state optical absorption in two-dimensional transition metal dichalcogenide flakes},
author = {Maxim Trushin and Edmund J. R. Kelleher and Tawfique Hasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.06298},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 4 figures, typos fixed as published