解读单层过渡金属硫族化合物的强带隙后吸收
材料科学
2021-04-02 v1
摘要
过渡金属硫族化合物（TMDCs）这一具有迷人光学物理的体系中，丰富的谷电子学以及多样的缺陷诱导或层间带隙前激子学已被广泛研究。然而，带隙之上更强烈的高能吸收峰（约 3 eV）过去长期被忽视，其潜在物理起源仍有待揭示。在此，我们采用动量分辨电子能量损失谱来测量有限动量下谷激子与强烈高能峰的色散行为。结合精确的 Bethe Salpeter 方程计算，发现钨基硫族化合物中高能宽吸收峰源于 Q 谷与 KM 中点的非能带嵌套跃迁，并呈现类似于 A 激子的自旋极化，这与钼基硫族化合物中的能带嵌套机制形成对比。我们的实验-理论联合研究将为 TMDCs 基光电器件中强高能激子的物理起源与调控提供见解。
引用
@article{arxiv.2104.00291,
title = {Deciphering the Intense Post-Gap Absorptions of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Jinhua Hong and Masanori Koshino and Ryosuke Senga and Thomas Pichler and Hua Xu and Kazu Suenaga},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.00291},
year = {2021}
}