单层与多层过渡金属硫族化合物的带尾形成：详细评估与快速参考指南
介观与纳米尺度物理
2023-08-04 v1 量子物理
摘要
过渡金属硫族化合物(TMDs)是各种超大规模电子、量子计算和光电子应用的有前途的候选材料。电子态密度向带隙中的指数衰减，即带尾，对TMD应用的性能有强烈影响。在这项工作中，基于密度泛函理论的非平衡格林函数预测了置于各种介电衬底上的各种TMD单层和多层系统的带尾。在自洽玻恩近似中包含了电子在极性光学声子上的非局域散射、带电杂质以及在介电材料声子上的远程散射。发现带尾关键取决于层厚度、温度、掺杂浓度，特别是所选的介电衬底。对潜在的物理机制进行了高度详细的研究，并给出了一个解析插值公式，为、和中的Urbach参数提供快速参考。
引用
@article{arxiv.2107.10053,
title = {Band tail formation in mono and multilayered transition metal dichalcogenides: A detailed assessment and a quick-reference guide},
author = {Prasad Sarangapani and James Charles and Tillmann Kubis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.10053},
year = {2023}
}