二维材料中激子的非侵入式调控
材料科学
2017-08-02 v1
摘要
我们研究外部屏蔽如何塑造嵌入横向结构化介电环境中的二维（2d）半导体中的激子。利用适用于多种材料（包括过渡金属硫族化物（TMDCs））的模型，我们发展了这些基本激发的原子尺度视图。我们发现结构化介电体在这些系统的激子上印刻了独特的势能景观：基态激子受的影响最小，而更高激发态被吸引向环境介电常数高的区域。该景观是“反转”的，即低能激子比其高能对应物受的影响更弱。相应的能量变化出现在几个晶胞量级的长度尺度上。这为通过量身定制的介电衬底在极小空间尺度上捕获和引导高能激子提供了前景。
引用
@article{arxiv.1704.06095,
title = {Non-invasive control of excitons in two-dimensional materials},
author = {Christina Steinke and Daniel Mourad and Malte Rösner and Michael Lorke and Christopher Gies and Frank Jahnke and Gerd Czycholl and Tim O. Wehling},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.06095},
year = {2017}
}