I型和II型半导体纳米棒中激子的介电约束
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
我们从理论上研究了介电环境对CdSe和CdTe/CdSe/CdTe纳米棒激子基态的影响。我们表明，绝缘环境增强了激子复合率，并使发射峰蓝移数十meV。这些效应对II型纳米棒尤为明显。在这些结构中，介电约束甚至可能改变电子和空穴电荷的空间分布。需要临界电场来分离电子和空穴，其值随周围环境的绝缘强度而增加。
引用
@article{arxiv.1011.6177,
title = {Dielectric confinement of excitons in type-I and type-II semiconductor nanorods},
author = {Miquel Royo and Juan Ignacio Climente and José Luis Movilla and Josep Planelles},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.6177},
year = {2015}
}
备注
Journal of Physics: Condensed Matter (in press)