CdSe纳米晶体中的电场与激子结构
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
利用有效质量形式论，在描述空穴态的 Baldereschi-Lipari哈密顿模型框架内，对半导体纳米晶体中的量子斯塔克效应进行了理论研究。报道了零电场下空穴本征函数的一般表达式。给出了电子和空穴单粒子能量随电场（）的变化关系。通过在外场存在下对关联电子-空穴哈密顿量进行完全对角化，获得了激子能级的斯塔克位移和结合能。特别地，研究了CdSe纳米晶体中较低激子态的结构及其对称性。发现激子结合能对施加场的依赖性在小量子点半径下显著减弱。获得了吸收和发光的光学选择定则。基于激子偶极矩阵元，研究了光学光谱随变化的电场诱导猝灭效应。预测光致发光光谱中的发射线呈现反常的场依赖性。这些结果在量级上与实验观测以及纳米结构光致发光实验的主要特征相符。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0405701,
title = {Electric field and exciton structure in CdSe nanocrystals},
author = {Eduardo Ariel Menendez Proupin and Carlos Trallero Giner},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0405701},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 7 figures, 1 table