半导体量子点中激子精细结构理论：量子点各向异性和横向电场
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
本文提出了半导体量子点中激子精细结构的理论及其对量子点各向异性和外部横向电场的依赖性。在k·p有效质量近似（EMA）框架内，推导了包含长程电子-空穴交换相互作用的有效激子哈密顿量。哈密顿量的交换矩阵元用电子和空穴包络函数显式表示。识别并分析了导致“亮”激子分裂的矩阵元。对于具有准二维各向异性谐振子（2DLAHO）限制势的模型量子点，分析了其激子精细结构随形状各向异性、尺寸和施加的横向电场的变化。
引用
@article{arxiv.0910.4345,
title = {Theory of exciton fine structure in semiconductor quantum dots: quantum dot anisotropy and lateral electric field},
author = {Eugene Kadantsev and Pawel Hawrylak},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4345},
year = {2015}
}