量子盘中激发态激子的精细结构
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报道了对半导体量子盘中激发态激子能级精细结构的理论研究。特别关注了电子-空穴长程交换相互作用的影响。我们证明，即使在轴对称量子盘中，激子 P 壳层也会分裂为三个子能级。在强限制与弱限制极限下获得了解析结果。讨论了由于 P 壳层与 S 壳层之间的共振 LO 声子辅助耦合导致激子自旋弛豫的可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501635,
title = {Fine structure of excited excitonic states in quantum disks},
author = {M. M. Glazov and E. L. Ivchenko and R. v. Baltz and E. G. Tsitsishvili},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501635},
year = {2007}
}
备注
3 pages, 1 figure, Submitted to the 13th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology"