具有轻空穴激子基态的半导体量子点：制备与精细结构
介观与纳米尺度物理
2012-09-03 v1 量子物理
摘要
量子点 (QDs) 可作为双能级量子系统（如单电子自旋、空穴自旋或激子（束缚电子 - 空穴对））的便捷宿主。由于量子限域效应，限制在量子点中的单个空穴的基态通常具有主导的重空穴 (HH) 特征。因此，尽管轻空穴 (LH) 态可能实现相干光子 - 自旋转换器或允许比重空穴态更快的自旋操纵，但它们长期以来一直被忽视。在本工作中，我们利用大于 0.3% 的张应变，将高质量 GaAs/AlGaAs 量子点中受限激子的基态从传统的重空穴型切换为轻空穴型。轻空穴激子的精细结构特征为两条面内偏振谱线，以及在它们上方约 400 micro-eV 处的一条具有显著面外振子强度的附加谱线，这与基于原子经验赝势计算和简单介观模型的理论预测一致。
引用
@article{arxiv.1208.6554,
title = {Semiconductor quantum dots with light-hole exciton ground state: fabrication and fine structure},
author = {Y. H. Huo and B. J. Witek and S. Kumar and R. Singh and E. Zallo and R. Grifone and D. Kriegner and R. Trotta and N. Akopian and J. Stangl and V. Zwiller and G. Bester and A. Rastelli and O. G. Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.6554},
year = {2012}
}
备注
16 pages, 4 figures