ZnTe 中外延 Cd(Se,Te) II 型量子点的激子精细结构
介观与纳米尺度物理
2022-05-04 v2
摘要
利用光致发光光谱实验以及 和组态相互作用方法理论，研究了嵌入 ZnTe 基体中的 Cd(Se,Te) 量子点基态激子的结构。实验揭示随着量子点中 Se 含量增加，激子精细结构分裂能显著减小。理论计算将此效应解释为由于 Se 增加诱导了点内电子与空穴间从空间直接（I 型）到间接（II 型）跃迁的转变。理论预测的趋势与实验结果非常吻合。理论指出，尤其在 I 型量子点中导致精细结构能升高的主要机制源于交换相互作用的多极展开。此外，理论揭示对于量子点中 Se 含量 ，还存在一种 {\bf 表现出 I 型和 II 型双重特征的奇特限制类型}，其呈现非凡性质，如激子几乎纯轻空穴特性以及空穴态的环面形状。
引用
@article{arxiv.2112.06798,
title = {Excitonic fine structure of epitaxial Cd(Se,Te) on ZnTe type-II quantum dots},
author = {Petr Klenovský and Piotr Baranowski and Piotr Wojnar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.06798},
year = {2022}
}