ZnSe纳米线中嵌入的CdSe量子点激子 - 声子耦合效率
介观与纳米尺度物理
2012-09-07 v2
摘要
嵌入在ZnSe纳米线中的CdSe量子点（QD）的激子发光强烈受到暗激子态的影响。由于这些量子点尺寸较小（2-5 nm），空穴与电子之间的交换相互作用显著增强，我们测得了亮激子态与暗激子态之间较大的能级分裂（ meV）以及这些态之间较大的自旋翻转速率。对大量量子点的统计表明，该分裂依赖于量子点尺寸。此外，我们测得随着能级分裂的增加，向暗态的自旋翻转速率也随之增加。我们用一个模型解释了这一观测结果，该模型考虑了激子 - 声子相互作用既依赖于亮激子到暗激子的能级分裂，也依赖于激子波函数的大小和形状。这一现象在高温下对激子谱线强度也有影响。
引用
@article{arxiv.1109.3612,
title = {Exciton-phonon coupling efficiency in CdSe quantum dots embedded in ZnSe nanowires},
author = {S. Bounouar and C. Morchutt and M. Elouneg-Jamroz and L. Besombes and R. André and E. Bellet-Amalric and C. Bougerol and M. Den Hertog and K. Kheng and S. Tatarenko and J. -Ph. Poizat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.3612},
year = {2012}
}
备注
7 pages, corrected figures and references