开放微腔中胶体纳米片与激子的强耦合

胶体半导体纳米片因其仅几个单层的厚度而表现出量子尺寸效应，同时其较大的横向延展促进了强光学带边跃迁。本文展示了室温下 CdSe 纳米片的轻、重空穴激子跃迁与开放平面微腔光子模式的强耦合。分别观测到重空穴和轻空穴激子的真空 Rabi 劈裂为 $66 \pm 1$ meV 和 $58 \pm 1$ meV，并伴有极化激元介导的两种跃迁杂化。通过测量薄膜中纳米片的浓度，我们计算出纳米片激子的跃迁偶极矩为 $\mu = (575 \pm 110)$ D。半导体纳米片的大振子强度和荧光量子产率为结合极化激元效应与自旋光电子效应的新型光子器件提供了前景。