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电子-空穴分离对单个Cd(Se,Te)量子点光学性质的影响

介观与纳米尺度物理 2016-05-25 v1

摘要

在ZnSe势垒中的Cd(Se,Te)量子点(QD)通常表现出非常高的谱密度,这阻碍了对单点光致发光的研究。我们设计、生长并研究了通过采用Mn辅助外延生长实现的低发射谱密度单个Cd(Se,Te)/ZnSe量子点。我们在量子点统计中发现了激子-双激子能量差(3 meV \leq ΔEXXX\Delta \mathrm{E_{X-XX}} \leq 26 meV)和激子辐射复合率的异常大变化。我们观察到激子-双激子能量差、激子复合率、暗激子与亮激子之间的分裂,以及额外的激子精细结构分裂 δ1\delta_1 和 Landé 因子之间的强关联。上述结果表明,在所研究的量子点中,δ1\delta_1 和 Landé 因子的值主要由电子和空穴各自的空间偏移和波函数重叠决定,由于电子和空穴分别在富CdSe和富CdTe的量子点区域中局域化程度不同,这些值逐点变化。

关键词

引用

@article{arxiv.1603.00313,
  title  = {Effect of electron-hole separation on optical properties of individual Cd(Se,Te) Quantum Dots},
  author = {Maciej Ściesiek and Jan Suffczyński and Wojciech Pacuski and Magdalena Parlińska-Wojtan and Tomasz Smoleński and Piotr Kossacki and Andrzej Golnik},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1603.00313},
  year   = {2016}
}