半导体量子点中的少粒子效应：观察到多电荷激子
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们实验和理论地研究了单个量子点（QD）光谱中的少粒子效应。通过对QD进行光耗尽处理，并利用掺杂电子缓慢跳变回QD的机制，我们有效地控制了QD中电子的数量。通过研究结构相同的QD，我们表明观察到的光谱演化可归因于固有的、与多粒子相关的效应，而非外在的QD-掺杂体环境相互作用。我们的理论计算识别出与激子及最高可达五个额外电子电荷化激子、以及中性和带电双激子有关的不同跃迁。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0005189,
title = {Few-Particle Effects in Semiconductor Quantum Dots: Observation of Multi-Charged-Excitons},
author = {Arno Hartmann and Yann Ducommun and Eli Kapon and Ulrich Hohenester and Elisa Molinari},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0005189},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, revtex. Accepted for publication in Physical Review Letters